对于电子产品的维修员来说，不掌握一些专业的知识，是很难做维修的。那么就要平时多去留心一些重要的电子零部件的知识，比如说MOSFET场效应管，这个东西运用原理及其主要特点有哪些，我们需要详尽的说说。

功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。根据载流子的性质，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型，图形符号如图所示。根据导电结构，MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体管称为VMOSFET。

MOSFET的主要特点：

(1)开关速度非常快。VMOSFET为多数载流子器件，不存在存贮效应，故开关速度快，其一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100ns数量级，适扩合于做高频功率开关。

(2)高输入阻抗和低电平驱动。VM0S器件输入阻抗通常10(7)Ω以上，直流驱动电流为0.1μA数量级，故只要逻辑幅值超过VM0S的阈值电压(3.5～4V)，则可由CM0S和LSTTL及标准TTL等器件直接驱动，驱动电路简单。

(3)安全工作区宽。VM0S器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值电流、击穿电压的额定值和功率容量来决定，故工作安全，可靠性高。

(4)热稳定性高。VMOS器件的最小导通电压由导通电阻决定，其低压器件的导通电阻很小，但且随着漏极-源极间电压的增大而增加，即漏极电流有负的温度系数，使管耗随温度的变化得到一定的自补偿。

(5)易于并联使用。VM0S器件可简单并联，以增加其电流容量，而双极型器件并联使用需增设均流电阻、内部网络匹配及其他额外的保护装置。

我们了解了MOSFET场效应管是原理后，就要注意它的几个特点，在运用的时候才不会出错，但是为了达到熟练的程度，还是要用废弃的电子产品来练练手，才会更加的专业和上道。