射极跟随器对电压没有放大作用，但是对电流有很强的放大，而且输入和输出相位相同。在使用发射极负载电阻RE的射极跟随器，在取出很大电流(接上阻抗低的负载)时，输出波形的负侧截去，根据这种情况进而引入了推挽型射极跟随器。如图：

但是在中间0V附近时，两个晶体管都处在截止状态，就会出现交越失真，为了克服这种情况，给两个晶体管的基极-发射极之间加上两个二极管从而产生0.6V的补偿压降以取消晶体管的盲区。

但是这种加入补偿压降的推挽型射极跟随器受温度影响很大，原因：晶体管VBE的值具有温度越高就越小的负温度系数。当温度升高时，VBE减少，但二极管流动的电流变化不大，这样就进一步增加了集电极电流。接入如果有一个动态的补偿电压，就解决了这个问题，进而引入了热耦合电路，如图：

有时候，我们可能需要更大的电流，像射极跟随器这种电路就不能满足我们的需要，我们就会考虑增大晶体管的hFE，这里就提出了达林顿连接，利用达林顿连接能够以较小的基极电流控制大电流。如图：

但是像达林顿连接随着集电极电流的大小变化，射极跟随器的电流放大度发生了变化器结果是增大了失真。于是，我们往往会采用并联连接，这样每个晶体管的输出电流大幅度地减少。使得每一个晶体管的发热量也大幅度地减少了，电路变得稳定。