~~~~ 经过单线接口访问 DS1820 的协议 如下~~

1. 初始化

2. ROM 操作命令

3. 存贮器操作命令

4. 处理/数据

首先，我们对18B20进行操作，我们要对其初始化，

初始化：单线总线上的所有处理均从初始化序列开始 初始化序列包括总线主机发出一复位脉冲 接着

由从属器件送出存在脉冲

初始化子程序：

Init_DS18B20(void)

{

unsigned char x=0;定义一个变量判断是否初始化程序

DQ=1; //DQ先置高

delay(8); //稍延时

DQ=0; //发送复位脉冲

delay(80); //延时（>480us)

DQ=1; //拉高数据线

delay(5); //等待（15~60us)

x=DQ; //用X的值来判断初始化有没有成功，18B20存在的话X=0，否则X=1

delay(20);

}

ROM操作命令：

写操作：

当主机总线 t o 时刻从高拉至低电平时 就产生写时间隙 见图

从 to 时刻开始 15us 之内应将所需写的位送到总线上 DSl820 在 t 后15-60us间对总线

采样 若低电平 写入的位是 0 见图 2 25 3 若高电平 写入的位是 1 见图 2 25 4

连续写 2 位间的间隙应大于 1us 即必须有1us以上的高电平恢复期。

写数据子程序

WriteOneChar(unsigned char dat) //unsigned char dat 定义存控制命令；以下对命令操作

{

unsigned char i=0;

for(i=8;i>0;i--) //因为写一个字节 ，所以要循环八次

{

DQ=1; //置高电平

_nop_(); //在开始另一个写周期前必须有1us以上的高电平恢复期。

DQ=0; //进入写开始

_nop_();

DQ=dat&0x01; //在15~60us之间对数据线进行采样，如果是高电平就写1，低写0。

delay(5); //向1-Wire总线写1bit至少需要60μs

dat>>=1; //因为写数据是从低位到高位，高位逐位的往右移

}

}

读操作

见图2 25 5 主机总线 to 时刻从高拉至低电平时 总线只须保持低电平 l 7ts 之后

在 t1 时刻将总线拉高 产生读时间隙 读时间隙在 t1 时刻后 t 2 时刻前有效 t z 距 to 为15

捍 s 也就是说 t z 时刻前主机必须完成读位 并在 t o 后的60尸 s 一 120 fzs 内释放总线

读位子程序(读得的位到 C 中)

void ReadOneChar() //主机数据线先从高拉至低电平1us以上，再使数据线升为高电平，从而产生读信号

{

unsigned char i=0; //每个读周期最短的持续时间为60us，各个读周期之间必须有1us以上的高电平恢复期

unsigned char dat=0; //首先初始化dat

for (i=8;i>0;i--) //一个字节有8位 ，所以循环八次

{

DQ=1;

delay(1);

DQ=0; //从高拉至低电平时 总线只须保持低电平 l 7ts

dat>>=1; // 读出来的数据要一位一位的移进去

DQ=1; //将总线拉高 产生读时间隙

_nop_();

if(DQ) //判断DQ是1还是0

dat|=0x80; //是1的话dat就高位1或，因为读数据是从低位读取 delay(4);

}

return(dat); //返回读出来的一个字节数据

}

只要根据时序来办事，就简单多了，然后在根据读出温度的过程来，就可以达到你想要的结果了，做的不太好，多多指教，谢谢~！