CCD线阵列摄像器件工作原理线阵列固体摄像器件基本结构如图5—45所示，图中，AD844JR光电二极管阵列和CCD移位寄存器统一集成在一块硅片上，分别由不同的脉冲驱动。设衬底为P—Si，光电二极管阵列中各单元彼此被SiOz隔离开，排成一行，每个光电二极管即为一个像素。各光电二极管的光电变换作用和光生电荷的存储作用，与分立元件时的原理高势垒，使光电二极管阵列CCD移位寄存器彼此隔离。在输出高电平时转移栅的下面衬底中的势垒被拆除，成为光生电荷（电荷包）流入CCD的通道。这时，电荷包并行流入CCD移位寄存器，接着在驱动脉冲作用下，电荷包按着它在CCD中的空间顺序，通过输出机构串行转移出去，这就是线阵列固体摄像器件工作过程。

线型CCD摄像器件有两种基本形式。一个是单沟道线阵ICCD，另一个是双沟道：线阵ICCD，同样是像敏单元的双沟道线阵ICCD要比单沟道线阵ICCD的转移次数少一半，它们的总转移效率也大大提高，故一般高于256位的线阵ICCD都为双沟道的。