当Q1处于临界饱和时，流经R1的电流为Ic=VCC/R1，若Q1的直流增益为β（β有直流增益和交流增益之分，不同的管子差很大），则流经R2的电流为Ib=Ic/β=（Vin-Vbe）/R2，Vbe为基极与射极间的管压降，对硅管来说约为0.6V，对锗管来说，约为0.3V，此时的Vin=Ib*R2+Vbe。

若要令Q1处于深度饱和状态（即开关闭合状态），Vin应大于临界饱和值，即Vin>Ib*R2+Vbe，Vin=Vbe+（Vcc*R2）/（β*R1）。

若要令Q1处于截止状态（即开关打开状态），只需令Vin<Vbe即可，说简单点就是直接令Vin=0。

此外，三极管还可实现反相器的功能。当PWM1为高时，Q1导通，PWM2为低；当PWM1为低时，Q1截止，PWM2为高。

当驱动H桥时，只需产生一路PWM信号，再令三极管实现反相，便可得到两路占空比互补的信号。