单片机降低待机功耗到66微安的方法
时间:04-10 10:02 阅读:940次
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简介:修改前待机电流为320微安左右,将这些管脚修改为推挽模式之后,待机电流骤降为66微安。除去加速度传感器消耗的十几微安,MCU实际消耗在40~50微安左右。
功耗降到66微安了,开心。先上图,再说方法:
LED采用如下方式连接到MCU的
之前全部将管脚配置为开漏模式,这样配置管脚为低电平时LED点亮,配置管脚为高阻时LED熄灭。这样在休眠状态下,这些管脚的配置为开漏模式并设置为高阻,想不到这样会有比较大的电流泄露。修改前待机电流为320微安左右,将这些管脚修改为推挽模式之后,待机电流骤降为66微安。除去加速度传感器消耗的十几微安,MCU实际消耗在40~50微安左右。虽然还没有达到理论最低值,但是计算下来理想状态下,两节南孚电池的待机时间已经达到4年以上,应该大于产品的寿命了。