半导体激光器简称LD，它是A1215S-2W用半导体材料（ZnS、GaAs、PbS，GaSe等）制成的面结型二极管。半导体材料是LD的激活物质，在半导体的两个端面精细加工磨成解理面而构成谐振腔。

给半导体施以正向外加电场，从而产生电激励。在外部电场作用下，半导体的P-N结中N区多数载流子即电子向P区运动，而P区的多数载流子即空穴向N区运动。电子与空穴相遇产生复合，同时可将多余的能量以光的形式放出来，由于解理面谐振腔的共振放大作用实现受激反馈，实现定向发射而输出激光。图3 -14为其工作原理图。

半导体激光器输出功率为几毫瓦到数百毫瓦，在脉冲输出时可达数瓦。由于结构和温度场的影响，它的单色性比氦一氖激光差，大约大104倍，但比LED小104倍左右。输出的波长范围与工作物质材料有关，从紫外到红外均可发光。