一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端 并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表 明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门 极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可 能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这 个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快， 则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导 通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上 升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电 路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它 可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控 硅)。同时， 避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可 控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作 的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择

电容的选择:

C=(2.5-5)×10的负8次方×If

If=0.367Id

Id-直流电流值

如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)

可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF

选用2.5mF，1kv 的电容器

电阻的选择：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

选择10欧

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2

Pfv=2u(1.5-2.0)

u=三相电压的有效值

阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。

大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/10W，C=1微法/630~1000V。

R 的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。

C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。

看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收 列入小功率范畴；接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。