据高级工程师介绍，米勒电容不是个实在存在MOSFET中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。

所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题，工程师们可以查询数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下，功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。