超级简单的闪光电路

下面是一个没有使用电阻的简单的闪光电路！然而，它依靠渗漏锗PNP晶体管的基极，只有小部分会工作，准备尝试一些。如果您从基础增加一个100k电阻到PNP的集电极电路将与大多数锗晶体管工作，将工作到1 VDC！NPN应该是一个硅型。100 uF的可以用22UF代替串联一个电阻5K，这将增加39欧姆的串联与NPN的基（但随后的电路开始失去其简约迷人）一个好主意。

需要多几个部分，这样低的电压闪光器使用普通的硅晶体管，是由两个单元供电。该电路将工作到大约1.6伏。

换一个600毫安灯泡，更换330K到22K，100欧姆到39欧姆，在4.7K到1K和4.7uF的到100uF的。

下图显示了一个多功能的LED闪光电路，用较小的电容值的作品。注意，该电路是显著与上述不同的电路，所述电容器是在基极电路。此配置可以给一个长时间的延迟比其他闪光灯小得多的电容器，但2N4403不会“饱和”，所以几伏仍将在整个电路中的闪光期间。

该电路如图这是简单的串联连接的负载，但略作修改，可能被证明更满意的当数灯具会从同样的电池操作的“两线”闪光。当电池开始失去它的电荷和其串联电阻增大，灯光可能趋于同步。通过电容器连接到电池的正端，而不是负，如图2所示因其他闪光的突然电压降不会倾向于触发电路。

这个闪光电路是实验者一个极好的补充电路，因为它的简单表现提供了惊人的延迟水平。例如，增加1兆欧充电电阻到高达100兆欧姆（5个22兆欧串联），增加了放电电阻从100K到1兆欧，并且减少电容下降到0.01 UF，电路将控制LED每秒闪烁一次。这是相当缓慢的，将0.01UF增加到1uF（非电解）延迟将达到100秒。

高增益晶体管是最适合这个电路，驱动高电流负载时MPSD-54或类似的PNP达林顿管是输出晶体管的绝佳选择。电解电容可能在这个电路中使用，但他们往往表现出有点漏电阻所以建议在充电电阻值低于1兆欧时使用。