这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制（PWM）电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET，正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路，正极控制版本是有用的。

12V负极控制PWM电机/灯光控制器

12V正极控制PWM电机/灯光控制器

该电路可以切换相当高的量的电流，IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET，如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至更大的电流需要被取代。另外，也可以连接多个并联的FET为更大的电流容量。始终使用导热硅脂的场效应管和散热片之间，并记住，散热器是带电。

感性负载（电机）可能需要特殊的照顾，因为它们可以产生较大的电压尖峰会损坏MOSFET。具有快速恢复二极管更换1N4002可以帮助驱动感性负载时，如电机吸收反向电压。如果您使用这些电路用于电动车实验，一定要在与电池串联的电路安装断路器，这是特别重要的，由于这一事实，即，当MOSFET控制失败，他们经常短路，马达全速。

在功率MOSFET晶体管的栅极侧的100欧姆电阻结合的晶体管的栅极电容组​​成的低通滤波器。这会减慢MOSFET的导通和关断略有减少射频（RF）开关噪声。

注意：如果电路没有完全打开和关闭时，调整10K电位器上下电阻的取值。