如图所示为频率可变的晶体管振荡电路，该电路主要是由晶体管振荡器、晶体谐振电路和变容二极管、输出放大器组成的，通常可用于制作高频晶体管振荡器。电路30 MHz中晶体管的电感器LP接在VT1的发射极电路中，它并联起来再与变容二极管串联，再与75 p电容器串联接在VT1集电极和发射极之间。VT2、VT3构成的放大器将振荡信号放大后由VT3集电极输出。变容二极管的控制电压在4—+-6 V之间变化。
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