变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器、自动频率控制（AFC）、电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

变容二极管又称"可变电抗二极管"。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。

变容二极管的主要特性参数

①最高反向工作电压VR:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过的电压允许值。

②反向击穿电压VB。:在施加反向电压的情况下，使变容二极管击穿的电压。

③结电容C:它是指在一特定的反偏压下，变容二极管内部PN结的电容。

④结电容变化范围:在工作电压范围内结电容的变化范围。

⑤电容比:是指结电容变化范围内的最大电容与最小电容之比。

⑥Q值:是变容二极管的品质因数，它反映了对回路能量的损耗。

变容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如图6所示

图一 变容二极管图形符号

几种常用变容二极管的型号参数见表一