1 工作原理
下面分析Boost电路存在的不足,在理想情况下:
M(D)=U0Uin= 11-D(1)根据式(1),在一定的输入电压下,理论上可以产生任意高于输入电压的输出电压。而实际情况中,由于电感、二极管、开关管都会产生一定的损耗,这些损耗可以等效为一个与电感串联的电阻RL,如图1所示:
此时根据磁平衡原理:
由式(2)、(3)可得:
根据式(4),在不同的RL/R 情况下,M(D)如图2所示。由此可见,在实际电路中,Boost电路升压比有限制极限,输出电压一般能达到输入电压的4~5倍。在大功率应用环境中,由于损耗严重,升压比反而更低。
为了克服上述非隔离升压电路的不足,本文研究的升压变换器如图3所示,它由交错并联Boost电路与电容串联组合而成。
在电感电流连续模式下,当占空比大于0。5时,系统工作原理时序如图4所示,PS1、PS2分别为开关管S1、S2的驱动脉冲。ID1、ID2分别为流过续流二极管D1、D2的电流。
在一个周期内系统工作状态如下:
[t0~t1]阶段,S1、S2同时导通。输入电流流过电感与开关管,所有的二极管电流为零,电感储存能量,如图5所示。
[t1~t2]阶段,S1导通、S2关断。电感L2储存的能量通过D4、D2释放给C1、Co,如图6所示。此时C1、C2通过D4串联,同时与Co通过D2并联,输出电压等于C1或C2两端电压的两倍。
[t2~t3]阶段,S1、S2同时导通。系统状态与[t0~t1]阶段相同。
[t3~t4]阶段,S1关断、S2导通。电感L1储存的能量通过D3、D1释放给C2、Co,如图7所示。此时C1、C2通过D3串联,同时与Co通过D1并联,L2继续导通并储存能量。
在电感电流连续模式下,占空比大于0。5时,设L1=L2=L,C1=C2=C,UC1=UC2=U,由磁链守恒得:
根据式(5)可得:
输出电压U0等于UC1与UC2之和:
由式(7)可见,在相同占空比的条件下,采用本文所述电路结构的升压比比采用传统Boost电路的升压比提高了两倍。
在电感电流连续模式下,占空比小于0。5时,开关管S1、S2的驱动脉冲如图8所示。
在一个周期内系统的工作状态如下:
[t0~t1]阶段,开关管S1导通S2关断。电感L2储存的能量通过D4、D2释放给C1、C0,这时电路工作状态与图6所示相同,且C1、C2通过D4串联,同时与Co通过D2并联,输出电压等于C1或C2两端电压的两倍。
[t1~t2]阶段,开关管S1、S2同时关断。电感电流分别通过C1、D1与C2、D2向负载放电,如图9所示。
[t2~t3]阶段,S1关断、S2导通。电感L1储存的能量通过D3、D1释放给C2、Co,这时电路工作状态与图7所示相同,且C1、C2通过D3串联,同时与Co通过D1并联,电感L2继续导通并储存能量。
[t3~t4]阶段,开关管S1、S2同时关断,系统状态与[t1~t2]阶段相同。
在电感电流连续模式下,占空比小于0.5时,设L1=L2=L,C1=C2=C,UC1=UC2=U,UCo=Uo,根据以上状态分析,在[t0~t1]时间段内,电感L1两端电压为Uin,在[t2~t3]时间段内,电感L1两端电压为UC2-Uin,在[t3~t4]与[t2~t3]时间段内,电感L1两端电压为UCo-UC1-Uin,由磁链守恒得:
根据式(8)、(9)可得:
输出电压Uo为UC1与UC2之和:
因此,在电感电流连续的状态下,无论占空比大于还是小于0.5,输出电压与输入电压关系都满足式(11)。
2 仿真验证
为了分析验证上述电路的工作原理,本文选用PSIM 软件进行仿真。电路参数选择如下:Uin=25V,Uo=200 V,L1=L2=200μH,C1=C2=Co=200μF,开关频率为50 kHz,输出功率为1 000 W。电感、电容的参数大小由式(12)、(13)、(14)确定。
式中,ΔlL1为电感L1的电流纹波。
式中,ΔUC1为电容C1的电压纹波,Iin为输入电流。
ΔUo为输出电压的纹波。
下文的仿真实验验证了本文所分析的电路工作原理。图10所示为稳态下开关管S1、S2的驱动波形,从图中可以看出占空比为0.75,输入电压与输出电压的关系为:
图11、12所示为开关管电流IS1、IS2与二极管电流ID3、ID4的波形图。由图可见仿真波形与图4所示的开关管、二极管理论分析波形一致,验证了理论分析的正确性。图13、图14为输入电感L1、L2和输出电压Uo波形图。由公式(12)、(14)可得,理论电感电流、输出电压纹波分别为1.875 A、0.125 V。
3 结 论
本文详细分析了非隔离Boost电路的升压比受到限制的原因,研究了一种高升压比交错并联Boost电路拓扑结构。此电路结构可以在不采用变压器的条件下,有效地提高输入输出电压比。文中主要对电路的工作过程和其主要参数进行了分析研究,并由仿真实验对其进行了验证。通过分析可知,采用该电路结构比采用普通Boost电路,升压比提高了2倍,极大地扩大了非隔离式Boost电路的应用范围。