功率器件行业面临的风险

过去几十年来，现代能量转换效率得到大幅度提升。然而，日益增长的能源需求和可再生能源的发电与储存急需这个领域进行进一步改进。越来越多的电力在从发电到消耗的过程中需要通过半导体，因此高效半导体是节约能源的一个有效方法。工程师需要为了实现更高的效率而努力。

电力电子的效率，为什么不能更上一层？

相比于GaAs或SiC，纯CMOS工艺是晶圆生产的常规工艺，在成本及良率上均有保障，而且在后期的封装中可以做到单颗单裸片，使得射频前端的性能得到更大幅度的提高，而市场调研机构也表示，纯CMOS工艺将成为今后的主流工艺。

RFaxis用CMOS工艺将PA、LNA和SW集成在单个裸片上。

CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题

独家专访：士兰微电子的创新发展之路

"雾霾"、"PM 2.5爆表"频繁在社交媒体上被网民所吐槽，民众对于环境污染及自身健康越来越关心，唯GDP论已经被中央领导所否决，绿色GDP这一概念被视为新宠，在这一大趋势下，作为电能转换和管理的有效手段，功率器件被越来越多地应用在多种大型基础设施中。

提升绿色GDP，IGBT市场需求看涨

本土功率器件产业仍处初级发展阶段，无论是技术、市场以及企业体量都还在"稚嫩期"，虽然市场需求巨大，前景被普遍看好，但是，风险也无处不在，据统计，2013年，功率器件行业统计企业425家，其中亏损企业92家，而且多种风险呈规律性分布，本土企业仍需正视，以保障自身平稳发展。

2013年功率器件行业亏损企业数及占比、亏损总额与利润总额对比（单位：个，亿元，%）

设计贴士:

这期依旧带来一些设计贴士，希望可以帮助工程师朋友应对在日常开发中遇到的技术难题，并提供技术趋势，能够让工程师了解到最新的技术发展方向，及时调整设计思路，更新知识库，应对未来潜在的技术变革。

功率器件设计方法提供了一个简单的三步方法，使工程师，即使不是电源专家，也可以构建能够提供高效率和高功率密度的复杂电源链。通过使用在线工具，这种方法得以进一步简化。但是，不像许多设计方案那样，功率元件设计方法消除了来自设计过程的痛苦和风险，而无需工程师花时间学习技术。

高效率碳化硅肖特基二极管在电源中应用

尽管低功率器件在当代开关领域已基本销声匿迹，并被高压双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等所取代，但它们在兆瓦级开关器件领域仍无可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被应用于机车驱动器中，或用来控制铝材生产厂中的电炉等。

大幅提高晶闸管的dV/dt耐受性 成功构建电源设计的三步骤

新一代IFX SiC肖特基二极管(thinQ!2G)融合了普通SiC肖特基二极管和双极pn结构，从而具有非常高的浪涌电流承受能力和稳定的过压特性。通过使用能够提供最低开关损耗的SiC二极管来提高效率在UPS和太阳能逆变器等系统中经常会用到，在这些系统中每次损耗的减少都能直接带来良好的回报。