mos场效应管Vgs参数注意事项
时间:05-03 16:32 阅读:959次
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简介:本文主要介绍了关于mos场效应管Vgs参数注意事项。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声 小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
为什么要用两个mos管呢?
因为pwrenvcc是1.8V 逻辑电压 直接驱动s极接3.3V的gn2305的话会导致vgs永远大于vgs(th)使得 gn2305一直导通
所以就用了一个spn7002
如果pwrenvcc是3.3V逻辑电压就可以直接驱动,如果我没猜错的话!