国内外晶体管命名规则讲解
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简介:国内外晶体管命名规则讲解 国内命名方法:3DG1815-Y 第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 2:表示二极管;3:表示三极管; 第二部分表示器件的材料和极性 A:PNP锗;B:NPN锗;C:PNP硅;D:NPN硅;E:化合物材料; 第三部分表示器件的类型 G:高频小功率......
国内外晶体管命名规则讲解
国内命名方法:3DG1815-Y
第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目
2:表示二极管;3:表示三极管;
第二部分表示器件的材料和极性
A:PNP锗;B:NPN锗;C:PNP硅;D:NPN硅;E:化合物材料;
第三部分表示器件的类型
G:高频小功率;D:低频大功率;A:高频大功率;K:开关管;X:低频小功率。大于等于1W为大功率管,小于1W为小功率管,功率不是很大,封装比较大为中功率管;
第四部分用阿拉伯字表示序号(型号)
第五部分表示器件的规格(放大档次)
国外命名方法(如日本工业标准(JIS)规定命名):2SC1815-Y
第一部分用数字表示类型或有效电极数
1:表示二极管;2:表示三极管
第二部分“S”表示日本电子工业协会(EIAJ)注册产品
第三部分用字母表示器件的极性及类型
A:PNP高频;B:PNP低频;C:NPN高频;D:NPN低频;J:P沟道场效应管;K:N沟道场效应管
第四部分用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号
第五部分表示器件的规格(放大档次)