IGBT（绝缘栅双极型晶体管）综合了GTR与MOSFET的优点，是以达林顿结构组成的一种新型电力电子器件，其主体部分与晶体管相同，有集电极C和发射极E，具有通流电流大，驱动功率小，驱动电路简单，开关速度快等良好的特性，自从20世纪80年代开始投入市场，应用领域迅速扩展，目前已经取代GTR和GTO，成为大、中功率电力电子设备的主导器件，该器件的工作电压和电流容量也在逐渐提高。
IGBT是GTR和MOSFET相结合的一种新器件，它的输入端和场效应晶体管相同，是绝缘栅结构，图7所示为IGBT的内部等效电路以及它的图形符号。
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