硅二极管的伏安特性曲线图（此图可由实验测绘出）见图示。先看正向特性曲线。当加于二极管两端的正向电压小于二极管的导通电压（此电压又称为死区电压、起始电压、阀值电压等，硅管为0.6v左右）时，二极管处截止状态，见图中的OA段。当此电压大于导通电压后，若有微小的增减，流过二极管的正向电流会有很大范围的变化（图中的OB段）。当该电流超过二极管所能承受的最大整流电流Im（比方IN400系列，该值为1A），二极管就会被击穿。

如果二极管两端所加的是反向电压，此电压在一定范围内，二极管仅有极其微弱的反向漏电流流过（图中的OC段）。当由C点继续加大反向电压，这个反向电流会在D点处突然急剧上什，此时二极管已难以承受，已被反向电压所击穿（比方，IN4007的此值为1000v）。

在整流电路中（见文末图），空载（未接负载Rz）时，整流电路构不成回路，二极管不能导通。当接入负载Rz后，整流电路工作，有工作电流Iz流过负载Rz。当流经负载Rz的电流大于整流二极管的最大正向工作电流Im时，二极管照样会被击穿。