对于常见的ARM处理器，它们的GPIO口基本上可以配置为输入模式、输出模式、开漏或推挽模式，对于新唐的M0来说，所有I/O都处于准双端模式；对于NXP的M3处理器来说，GPIO可以配置为上拉、下拉、开漏或者中继模式。

开漏输出与推挽输出的区别：

推挽输出:推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。可以输出高,低电平,连接数字器件，正常的拉出/灌入电流为4mA，短时间极限值可以达到40mA，但不是每个引脚都能输出这么多

开漏输出:输出端相当于三极管的集电极。要得到高电平状态需要上拉电阻才行。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20mA以内).

开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

组成开漏形式的电路有以下几个特点：

1.利用 外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。如图1。

2.可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

3.可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。

4.开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。

问题集锦

一、准双向IO结构的特点是

1输出结构类似OC门，输出低电平时，内部NMOS导通，驱动能力较强(800uA)；输出高电平靠内部上拉电阻，驱动能力弱(60uA)。

2永远有内部电阻上拉，高电平输出电流能力很弱，所以即使IO口长时间短路到地也不会损坏IO口

(同理，IO口低电平输出能力较强,作低电平输出时不能长时间短路到VCC)

3作输入时，因为OC门有"线与"特性,必须把IO口设为高电平(所以按键多为共地接法)

4作输出时，输出低电平可以推动LED(也是很弱的)，输出高电平通常需要外接缓冲电路(所以LED多为共阳接法)

5软件模拟OC结构的总线反而比较方便-----例如IIC总线

* OC门:三极管的叫集电极开路，场效应管的叫漏极开路，简称开漏输出。具备"线与"能力,有0得0。

*为什么设计成输出时高电平弱，低电平强----是考虑了当年流行的TTL器件输入

二、IO不同模式的区别？

简单的说:

“准双向IO口”在读前必须先用写指令置"1",才能读入;写则无须此步.

“真正的双向IO口”可直接读写.

“三态IO口”有高,低电平,高阻状态,高阻本人理解:相当此脚与内部电路断开.