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NE555是应用最为广泛的时基集成电路，也是世界上生产最多的芯片，下面我们一起来看一看它的典型应用吧。
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NE555是一款应用十分广泛的集成芯片，通过几个简单的外围器件，就能组成各种电路，下面是NE555的典型应用原理图。
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电容开关是一种高度智能化的物位测量产品，原理是采用先进的射频电容技术，通过几班电容的变化来测定物位并具有报警开关的开关器件。有单点、双点、三点、四点可供选择。本文主要讲解电容开关的基础知识。
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场效应管的特性总结。
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主要讲解用指针式万用表对场效应管进行判别及检测VMOS管的方法。
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绘制电气控制线路图是积累工作资料的一项重要内容，可采用辅助绘图软件提高工作效率。AutoCAD2006是常用的电气辅助设计软件之一。利用AutoCAD2006的工具选项板，将电气图常用电气图形文字符...
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本文以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性。
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主要讲解场效应管在共源极放大器的应用。
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本文为FET（场效应晶体管）的基础知识讲解。
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场效应管的转移特性曲线是表明当漏、源极所加电压V舾保持不变时，漏极电流ID和栅、源电压Vcs之间的曲线关系。它反映的是栅、源电压Vcs对漏极电流ID的控制作用。本文讲述利用万用表定性测量场效应管的好...
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主要讲解结型场效应管的管脚识别、判定栅极、估测场效应管的放大能力等内容。
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总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的...
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讲解只适合主板的场效应管的带环原则及其好坏判断。
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本文主要总结MOS管被击穿的原因及其解决方案。
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面对模拟电路中各种公式，若是不掌握本质内容，即使知道公式，哪天换一种模式，可能就不会算了。本节主要讲解运算放大器的计算。
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采用LC等效电路，不考虑PCB上的损耗，而这些损耗往往在高频影响尤为明显，例如趋肤效应引起的传输线损耗、PCB介质损耗。同时LC集总参数模型的建立是基于单频点的，它也只能适用于单频点，无法提供宽频段...
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对于三端稳压器，最常用的有78X系列和79X系列。那么针对7805解释一下各个参数的意义。
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TL431的主要作用是使得电路获得更稳定的电压，TL431是一种较为精密的可控稳压源，有着较为特殊的动态阻抗。其动态响应速度快，输出噪声低，价格低廉。
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