基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器.pdf-资料-课设毕设-论文

基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器.pdf

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简介：

采用o．18μm CMOS工艺，两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器(LNA)设计。共源结构的级联采用电流共享技术，从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50欧姆阻抗匹配。同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5．2GHz，1．8V电源电压，能提供20dB的增益(S2l为20dB)，而噪声系数为1．9dB，输入匹配较好，S11为一32dB。