横向SOI 锗硅光电探测器的数值模拟.pdf-资料-课设毕设-论文

横向SOI 锗硅光电探测器的数值模拟.pdf

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简介：

采用Atias 对SOI / CMOS 兼容横向pin 近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示，外延应变SiGe 层产生禁带变窄，形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3 V 反向偏压下，电场沿横向均匀分布，光吸收层基本完全耗尽，光生载流子得到有效收集；与Si 的光电响应相比，出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动，证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能。