用特征矩阵法研究不同结构缺陷光子晶体内部局域态场强的大小和分布特征。一维光子晶体缺陷模局域场一般以驻波的形式存在于缺陷内，局域平均场强的大小与光子晶体构形、缺陷的结构参数、周期数密切相关。在同样条件下，当缺陷模频率使光子晶体满足布拉格反射条件时，缺陷模局域场的强度达到最大值。结构参数相同时，缺陷模局域平均场强随周期数按e指数增加。研究结果对优化光子晶体的设计具有一定的参考作用。
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