本论文采用了一种CMOS反相器微波扰乱效应电路模拟方法，重点研究注入微波脉冲功率、频率、脉宽、脉冲前沿等参数以及反相器工作电压对效应结果的影响，同时也对级联CMOS反相器高、低电平及上升沿与下降沿注入不同频段、不同功率的微波扰乱脉冲进行了大量实验研究。模拟结果与注入实验数据比较吻合，表明文中采用的SPICE反相器模拟模型可以较好用于CMOS数字电路微波扰乱效应研究。
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