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[ 文章 ]
非传统MOSFET方案提高功率
CMOS器件
功效的方法(三)
导读: 三十多年来,本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
by
一帘幽梦飞
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发表时间 2014-10-17
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2588次查看
[ 文章 ]
非传统MOSFET方案提高功率
CMOS器件
功效的方法(二)
导读: 三十多年来,本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
by
一帘幽梦飞
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发表时间 2014-10-17
|
2545次查看
[ 文章 ]
非传统MOSFET方案提高功率
CMOS器件
功效的方法(一)
导读: 三十多年来,本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
by
一帘幽梦飞
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发表时间 2014-10-17
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1979次查看
[ 文章 ]
关于
CMOS器件
的开漏与TTL器件的开集
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosfet的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极 ...
by
齐欣
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发表时间 2015-08-13
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1661次查看
[ 文章 ]
设计PCB时抗静电放电(ESD)的方法
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
by
_海蓝了夏迷了眼
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发表时间 2015-12-03
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1280次查看
[ 文章 ]
PCB抗静电放电的措施
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
by
Dabing
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发表时间 2015-01-30
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1178次查看
[ 文章 ]
IC设计:
CMOS器件
及其电路
本文主要讲了
CMOS器件
及其电路的相关知识,下面一起来学习一下: ...
by
晓晓nn
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发表时间 2018-08-09
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1133次查看
[ 文章 ]
PCB板设计时抗ESD的方法大全
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
by
lotuse
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发表时间 2016-10-21
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950次查看
[ 文章 ]
嵌入式系统 的低功耗设计
通过对几个方面的分析较为全面地介绍了嵌入式系统的低功耗设计方法。其中涉及到了
CMOS器件
功耗的理论分 ...
by
Dabing
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发表时间 2015-01-31
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848次查看
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