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现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-06
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采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GH ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-03
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ICL7650是Intersil公司利用动态校零技术和CMOS工艺制作的斩波稳零式高精度运放,它具有 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-31
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本文利用TSMC 180 nm RF CMOS工艺设计了一款VCO芯片，介绍了VCO 电路设计和器件 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-29
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本文介绍的运放是一种采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE（1P6 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-01
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利 ...
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axim推出36V、低失真、低噪声、高精度运算放大器MAX9632/MAX9633。作为Maxim高 ...
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fl | 发表时间 2014-10-30
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基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在 ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-05-04
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介绍一种电路结构简单、限流保护功能可靠、可用于线性稳压电路的限流保护电路， 在0. 6 m CMOS ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-25
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导读： 美国微芯公司开发的CMOS工艺PIC系列单片机，特别是采用内置第二代Flash存储器的微控制 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-10
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本文将针对CMOS微机电麦克风的设计与制造进行介绍，并比较纯MEMS与CMOS工艺微导入麦克风的差异 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-26
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本文介绍了一种基于CMOS工艺的电荷泵锁相环芯片的设计 ...
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畅学e | 发表时间 2015-05-13
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结合一个具体的低噪声放大器(LNA)设计实例,采用CHRT的0．35μm RFCMOS工艺,在EDA ...
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期待 | 发表时间 2015-05-23
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论述了一种应用于802.11a无线局域网射频前端高速频率合成器中两个关键模块的设计: 负阻LC压控振 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-23
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笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-04-25
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近年来，随着CMOS工艺技术的不断改进，CMOS传感器的应用范围也越来越广泛，包括数码相机、电脑摄像 ...
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凯瑞 | 发表时间 2015-04-29
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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为了使串联电阻有效的降低，特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管，以所测得 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-05-12
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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7135是采用CMOS工艺制作的单片4 1/2位A/D转换器，只要附加译码器，数码显示器，驱动器及电 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-25
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