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配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用DPAK封装的100 V MOSFET，以及一 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-06-18
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当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-05-16
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高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-18
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高压侧前置场 FET 驱动器和功率 FET 组合被广泛地用于负载控制，例如：车载电子的白炽灯泡、继电 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-18
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曾经看到这样一个问题，（我在好几个厂家的Quality Issue中记录这个问题）。
起因是这样的 ...
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期待 | 发表时间 2015-04-17
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金属氧化物半导体场效应晶体管是由一个金氧半二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面所组成。自从在1960 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-06
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在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOS ...
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期待 | 发表时间 2015-03-23
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功率MOSFET PCB设计以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛 ...
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冯大同 | 发表时间 2014-05-26
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总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-12
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高压金属氧化物半导体场效应晶体管技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-11
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igbt管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor） ...
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hcay | 发表时间 2014-11-13
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为了防止开关电源(开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-25
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风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网，随着新能源发电量的逐年攀升，市场对电力电子变换 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-11-26
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导读： 三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要C ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-17
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下图形象的说明了运放的输入端阻抗的特性。主要有两个参数，输入阻抗和输入电容。对于电压反馈型运入，输 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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MOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-10-14
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-30
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安森美公司的NCV8876是一个非同步升压控制器，用于车辆启动/停止过程中，车辆电池电压跌落时，提供 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-18
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本文中提出了针对于MOSFET击穿的两种常见成因，并且对此进行了问题分析及提出解决方案。 ...
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hcay | 发表时间 2015-01-31
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430单片机仿真器MSP-FETU430IF遇到VCP问题不能下载程序解决办法详解 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-19
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