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MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-29
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场效应晶体管在音响数字化的今天应用范围越来越广。其原理、优点和使用常识在一些工具书及报刊上已有不少论 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-06
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下图形象的说明了运放的输入端阻抗的特性。主要有两个参数，输入阻抗和输入电容。对于电压反馈型运入，输 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-13
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MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？J ...
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晓晓nn | 发表时间 2016-03-31
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该应用笔记检验了影响放大器噪声的关键参数,说明不同放大器设计(双极型、JFET输入或CMOS输入设计 ...
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期待 | 发表时间 2015-03-31
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之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电 ...
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本文内容包括结构与符号、导电原理、JFET的伏安特性。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-30
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由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多 ...
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虽然JFET是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件，但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在- ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-14
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之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-01-14
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晶体管分为：双极性晶体管：NPN和PNP，单极性晶体管（场效应管）：JFET和MOSFET。 ...
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lotuse | 发表时间 2016-12-06
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