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本文从反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪声的产生过程与基本特点。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-14
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共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-09-26
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介绍一种基于LPC2136的便携式美元面值识别仪。通过CMOS图像传感器读入美元任意一个角的信息，并 ...
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lihong | 发表时间 2016-03-09
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不同电源导通时间推荐电路采用一个控制器，利用控制器内的MOSFET管对LM4911关 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-02-28
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本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-26
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设计了一种符合ISO18000-6B协议的超高频无源电子标签的数字基带处理器，芯片采用TSMC 0 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-03
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CMOS逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后， ...
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露水非海 | 发表时间 2016-03-03
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与传统的功率MOSFET相比，宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN?FET ...
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AJ代发 | 发表时间 2016-04-13
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在这篇文章里，我介绍了一种能达到AB类特性轨到轨CMOS模拟缓冲器的电路技巧，产生了具有低功耗和 ...
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Dabing | 发表时间 2015-04-02
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长长11 | 发表时间 2020-02-03
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ADI 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出多拓扑 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-02
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封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-11-06
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氮化镓 （GaN） 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 （Ga ...
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晓晓nn | 发表时间 2016-05-11
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本文是关于汽车驾驶辅助系统双CMOS图像传感器采集电路的设计。 ...
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畅学e | 发表时间 2015-04-18
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随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围 ...
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lihong | 发表时间 2015-12-12
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本文介绍了CMOS图像传感器器件的原理、性能、优点、问题及应对措施，以及CMOS图像传感器的市场状况 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-04-13
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本文主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片进行分析。目的是为了能够减少MOS管的损失。下文中主要从5个 ...
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hcay | 发表时间 2015-02-14
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半导体设计与应用工程师在有了可行 CMOS 硅芯片时高兴得相互击掌庆祝，因为它可在 80% 的良率下 ...
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凯瑞 | 发表时间 2015-04-17
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因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-27
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本文讨论的先进DSA设计方法能将宽带线性度精及确度提高到一个新的水准。与许多RF器件不同，这种电 ...
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小尚 | 发表时间 2015-11-13
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