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[ 文章 ] 选择高压场效应管实现节能

高压金属氧化物半导体场效应晶体管技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解 ...

by 露水非海 | 发表时间 2016-01-11 |2035次查看
[ 文章 ] IGBT的常识及使用注意事项

　igbt管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor） ...

by hcay | 发表时间 2014-11-13 |2023次查看
[ 文章 ] 基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Se ...

by hcay | 发表时间 2014-11-04 |1617次查看
[ 文章 ] 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

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by 邢美玲 | 发表时间 2014-04-26 |1069次查看
[ 文章 ] 专家分享：高效高可靠LED驱动设计的心得

由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使 ...

by 永不止步步 | 发表时间 2014-06-14 |927次查看
[ 文章 ] 基于ATmega8的大功率直流电机控制系统设计与实现

本系统采用ATmega8单片机为核心控制器，通过PWM波来控制H桥中MOSFET器件的导通和关断，把 ...

by hcay | 发表时间 2015-02-03 |920次查看
[ 文章 ] 6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。 ...

by 娇 | 发表时间 2016-03-26 |905次查看
[ 文章 ] 常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时 ...

by 期待 | 发表时间 2014-12-27 |884次查看