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稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二 ...
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lotuse | 发表时间 2016-11-15
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三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-09
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本文主要对MOS管被静电击穿的原因进行了分析，希望对你的学习有所帮助。 ...
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晓晓nn | 发表时间 2016-06-01
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文章为大家分析了LED被静电击穿的现象及原理。 ...
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露水非海 | 发表时间 2016-03-02
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专家分析是220VAC交流电传导到手机上，导致人员触电身亡。看到这里我们就知道罪魁祸首还是充电器被击 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-15
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一、一般电容故障现象：电容开路、击穿、漏电、通电后击穿 故障原因 1、元器件开路 电容器开路后，没有 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-27
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短路时线路中的电流一般增加几倍至几十倍，急剧产生大量热能，这些热量可使导体的绝缘立即烧穿；假如热 ...
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长长11 | 发表时间 2020-02-22
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本文主要总结MOS管被击穿的原因及其解决方案。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-12
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微放电是在真空条件下，发生在微波器件内部的射频击穿现象。近年来，随着空间技术的发展，微波部件工作的功 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-03-13
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随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MO ...
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微放电是在真空条件下，发生在微波器件内部的射频击穿现象。 ...
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娇 | 发表时间 2016-02-24
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本文是讲MOS管的几种“击穿”。 ...
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独狼 | 发表时间 2016-05-05
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初学者可能会有这样的疑问，MOS管为什么会被静电击穿？本文就给你答案，一起来看。 ...
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银火虫 | 发表时间 2016-04-15
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光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-07
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静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-16
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微放电是在真空条件下，发生在微波器件内部的射频击穿现象。 ...
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娇 | 发表时间 2016-01-22
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所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以 ...
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娇 | 发表时间 2016-03-16
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三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-05
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稳压二极管，又叫齐纳二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-02
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可控硅击穿的原因有哪些？ ...
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hcay | 发表时间 2014-11-26
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