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对于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这 ...
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永不止步步 | 发表时间 2015-06-27
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在某些器件中会存在另外一种白噪声，这种白噪声不符合（2-4）式中热噪声的模型，并与器件有源区的载流子 ...
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一帘幽梦飞 | 发表时间 2014-11-03
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电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-02-22
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变频器技术的开发旨在高能效地驱动用于工业及家用电器的电机。此技术要求像绝缘门双极晶体管、快速恢复二极 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-08-08
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-29
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制造商已经为高压直流 （HVDC） 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 （IGBT）/ 二 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-07-11
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IGBT是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件，既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性， ...
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期待 | 发表时间 2015-04-29
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IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-02-24
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制造商已经为高压直流 （HVDC） 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 （IGBT）/ 二 ...
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fl | 发表时间 2014-10-29
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能够单向传导电流的叫做二极管，计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-08
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晓晓nn | 发表时间 2019-03-21
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功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶 ...
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Dabing | 发表时间 2015-03-11
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IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压 ...
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永不止步步 | 发表时间 2014-07-30
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逆变与整流是两个相反的概念，整流是把交流电变换为直流电的过程，而逆变则是把直流电改变为交流电的过程， ...
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hcay | 发表时间 2014-11-24
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用于点火线圈充电的开关元件已经历了很大演变：从单个机械开关、分电器中的多个断电器触点，到安装在分电 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-11-21
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1.IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区 ...
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hcay | 发表时间 2014-11-25
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绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱 ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-02
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另一种是把IGBT与FWD （FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要 ...
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长长11 | 发表时间 2020-03-20
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