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绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-01-04
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MOS管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（MOS管），是利用半导体表面的电 ...
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期待 | 发表时间 2014-12-29
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IGBT是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件，既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性， ...
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期待 | 发表时间 2015-04-29
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本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求，设计了一种适用于高频条件下小功率电路可靠稳定的分立式IGB ...
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微笑眼泪 | 发表时间 2015-08-10
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本文为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-06-05
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Altera公司(NASDAQ: ALTR)宣布其采用Intel 14nm三栅极工艺制造的Strat ...
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倩倩 | 发表时间 2014-06-18
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闭合一个交流开关，像其它双极器件一样，必须在开关的栅极(G)与驱动参考端子之间施加栅电流(参见意法半 ...
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lotuse | 发表时间 2016-11-26
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VMOS管电路也分为共源极、共栅极和共漏极三种组态。 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-03-09
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电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器(一般为玻璃管)中的阴极电子发射部分、控制栅极 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2016-12-20
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IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双 ...
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粽子糖果 | 发表时间 2017-02-24
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本文所介绍的简易实用的调光灯电路图是利用V-MOS场效应管输入阻抗极高的特点，通过调节V-MOS管栅 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-12
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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场效应管放大电路和三极管放大电路的区别 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-13
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采用双栅极场效应晶体管的宽频带高频信号放大器，高频信号经两级变压器耦合后滤除低频信号，然后送到场效应 ...
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hcay | 发表时间 2014-12-05
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一个用于驱动日光灯的电路，由10~20V的直流电源供电。电路如下所示： 工作原理 初始时，Q1发射极 ...
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lotuse | 发表时间 2016-10-25
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层 ...
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Dabing | 发表时间 2015-01-30
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分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小 ...
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本文分析了影响对称式射频收/发开关性能的因素，包括栅宽、导通电阻、衬底电阻、栅极电阻等。采用TS ...
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露水非海 | 发表时间 2015-12-10
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在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过 ...
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hcay | 发表时间 2014-09-26
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本文为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其 ...
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zsss | 发表时间 2016-08-05
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