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[ 话题 ] 低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、...

来自电子元器件|by 粽子糖果 |发表时间 2017-02-21 |0个回复