FPGA器件的一个比较特别的现象是其上电瞬间的电流比较大，有时候甚至大于芯片正常工作的电流，这是因为FPGA内部的逻辑和互连线资源（SRAM工艺）在上电的瞬间处于不确定状态，发生电流冲突的结果。

如果用户在设计的时候没有考虑到这个上电瞬间的大电流，电源模块不能够提供这么大的电流，芯片在上电过程中就会出现上电曲线不单调的问题，导致器件上电失败，以至于芯片无法正常工作。一般在器件手册中会给出这个上电电流值。

FPGA在正常工作中，其消耗的总功耗由器件的静态功耗，动态功耗和I/O功耗构成。静态功耗也叫做待机功耗（Standby Power），是芯片处在上电状态，但是内部电路没有工作（也就是内部电路没有翻转）时消耗的功耗。而所谓动态功耗是指由于内部电路翻转所消耗的功耗。I/O功耗是I/O在翻转时，对外部负载电容进行充放电所消耗的功耗。

如下式：

总功耗=静态功耗+动态功耗+I/O功耗

芯片的静态功耗是芯片处于待机状态下所消耗的功率，它主要是由芯片内部的漏电流产生。在高速的90nm器件中（如Stratix II），芯片的漏电流相对来说较大，因此静态功耗成为主要的电源消耗，也叫做漏电功耗（Leakage Power）。

静态功耗有一个显著的特点，就是它随着器件结温（Junction Temperature，Tj）的变化而变化较大。Tj越大，功耗越大；Tj越小，功耗越小。如图1所示。因此，控制芯片的结温可以有效地控制芯片的静态功耗。

图1 漏电功耗与器件结温的关系

相比以前的器件工艺（如0.13um），90nm器件由于内核电压的降低，芯片在工作时所消耗的动态功耗因此也相应降低。

至于I/O功耗，因为其电源与内核分开的，它消耗的功耗改变不大。

不同工艺器件的功耗组成如图2所示。

图2 不同工艺器件功耗比较

注意：功耗增加是90nm高速芯片的结果，如果芯片设计者降低器件的性能规格，那么其功耗也将随之显著降低，Altera 90nm的低成本器件Cyclone II就是一个很好的例子。