a.输入阻抗1MHz,平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器电路基板
图1 是由FET 输入的高速OP 增幅器OPA656 构成的高输入阻抗OP 增幅电路,它的gain取决于R1、R2,本电路图的电路定数为2 倍。
此外为改善平滑性特别追加设置可以加大噪讯gain,抑制gain-频率特性高频领域时峰值的R3。
图1 高输入阻抗的宽带OP增幅电路
图2 是高输入阻抗OP 增幅器的电路基板图案。降低高速OP 增幅器反相输入端子与接地之间的浮游容量非常重要,所以本电路的浮游容量设计目标低于0.5pF。
如果上述部位附着大浮游容量的话,会成为高频领域的频率特性产生峰值的原因,严重时频率甚至会因为feedback 阻抗与浮游容量,造成feedback 信号的位相延迟,最后导致频率特性产生波动现象。
此外高输入阻抗OP 增幅器输入部位的浮游容量也逐渐成为问题,图2 的电路基板图案的非反相输入端子部位无full ground设计,如果有外部噪讯干扰之虞时,接地可设计成网格状(mesh)。
图3 是根据图1 制成的OP 增幅器Gain-频率特性测试结果,由图可知即使接近50MHz频率特性非常平滑,-3dB cutoff频率大约是133MHz。
图2 高输出入阻抗OP增幅器的电路基板图案
图3 根据图26 制成的OP增幅器Gain-频率
b. 可发挥50MH z~6GHz 宽带增幅特性的电路基板图案
图3 是由单芯片微波(MMIC: Monolithic Micro wave device)集成电路NBB-310(RFMicroDevices)构成的频宽50MHz~6GHz 宽带高频增幅器,NBB-310 高频组件采用AlGaAs HBT制程制作,因此可靠性相当高。
使用MMIC 的增幅器时,必需搭配适合的电路基板图案阻抗与组件,例如耦合电容、高频扼流圈(choke)、线圈(coil)(以下简称为RFC)时,才能发挥组件具有的功能。如NBB-310 技术数据的记载,偏压(bias)电流只需利用电阻与RFC即可,不过本电路使用复合型晶体管构成的current mirror 电路,加上 NBB-310输出脚架的直流电压Level,会随着高频输入电力Level的变化,使用上述电阻与RFC简易偏压电路的话,输入电力变时输出脚架的直流电压会降低,NBB-310可能会有过电流流动之虞,所以偏压电路使用current mirror 电路,藉此防止发生过电流现象。
图3 频宽50MHz~6GHz 宽带高频增幅器的电路
频率超过2~3GHz 必需谨慎选择印刷电路基板的材质,基本上不可使用传统FR4玻璃环氧树脂,因此无铅且高频特性与FR4玻璃环氧树脂相同的高Tg玻璃环氧树脂使用可能性大幅增加。一般而言高频电路通常会选用高频用低tan的基板材质,此外为抑制周围温湿度造成高频特性变动,因此必需将基板的温湿度一并列入考虑。图4 是频宽50MHz~6GHz 宽带高频增幅器的电路基板图案,如图所示micro strip line上方的2 个耦合电容C1、C2与C4、C5, 并联设在线路端缘(edge)可以改善insertion loss与return loss等高频特性。
图4 频宽50MHz~6GHz 宽带高频增幅器的电路基板图案
频率超过GHz 等级时,电容器的高频特性随着厂牌出现极大差异,虽然指定厂牌对资材采购单位相当困扰,不过它是OP增幅性能上重要组件之一,重视应用性能时就不应该妥协让步。
封装NBB-310的接地面必需与周围接地面分离,如此才能够防止在NBB-310 接地面流动的接地电流迷走在full ground面上,这种技巧经常被应用在改善OP增幅器的绝缘特性。自制线圈时使用FT23-61 type的troy dull core,与直径ψ0.3polyurethane,靠近NBB-310端紧密绕卷5 圈,接着均匀粗绕卷10 圈;如果使用市售的线圈必需透过测试寻找特性符合要求的产品,笔者认为若使用WD0200A(冈谷电机)可以充分发挥NBB-310的性能。
c. 可以从直流切换成2.5GHz 的RF切换电路
以往RF 信号切换开关大多使用PIN 二极管(diode),目前GaAs 与CMOS 专用IC 已经成为市场主流,此处以μPD5710TK 为例,介绍可以切换直流~2.5GHz 的宽带切换电路(图5)。
图5 可从直流切换成2.5GHz 的RF切换电路
图中的μPD5710TK 采用CMOS 制程制作,点线表示直流cut 用电容,其它切换IC 的端子偏压(bias)Level 是以直流性定义,所以几乎都是用电容直流cut,不过本电路无法使用直流电。图6是RF切换电路基板图案,图案宽度为1.8mm如此便可以成为Z0=50Ω的micro stripline 的传输线路,电路基板厚度t=1.0mm。Layout 基板时尽量让切换IC 的的接地在附近流入背面的端子接地,如此切换控制线在端子附近强制性控制阻抗(impedance),所以没有长度与宽度等限制。
图6 可从直流切换成2.5GHz 的RF切换电路基板图案
为避免切换控制端子影响IC的动作,因此作业上必需谨慎处理。图5的电容C1、C2与接地作交流性连接,可以降低电容对连接控制电路与电源图案的影响(图案成为等价性线圈,图案长度与频率关系的阻抗,从0 到无限大巨大变动)。此外电容本身具备共振频率,所以本电路采用高自我共振频率与高定数电容,芯片电容一般都在100pF~1000pF左右。
d. 4GHz VCO 的电路基板图案
图7 是4GHz 为中心可作500MHz宽带振荡的VCO(Voltage Controlled Oscillator)电路,外观上看似可洱必兹基本电路,不过却无可洱必兹电路必要的C-C-L 结构,然而本电路却显示负性阻抗而且还可以作振荡动作,一般的VCO 为了要减轻负载,通常都会设置缓冲器(buffer),不过本电路50Ω负载时仍拥有良好的负性阻抗,所以直接连接至50Ω传输线路。
图7 4GHz 为中心可作500MHz 宽带振荡的VCO 电路
图8 是电路基板图案。VCO 的基板图案重点必需考虑决定振荡频率的组件,以及振荡晶体管的电流流动特性,依此才能设计最短的图案长度。如上所述电路50Ω负载时显示良好的负性阻抗,所以输出直接连接至Z0=50Ω的micro strip line的传输线路,此外控制电压端子Vr 利用外部PLL 电路以模拟电压控制,所以用C7 作高频性降至ground,避免受到电路基板布线的影响。
图8 4GHz 为中心可作500MHz 宽带振荡的VCO 电路基板图案
Q1、L6、L4、D1决定振荡频率,所以设计图案时必需考虑贯穿这些组件的电路电流路径。图34 中的虚线表示电路电流路径。接地采用via hole连接到L2,虽然这种连接方式属于full ground不过路径却非常短,此外via hole设计必需避免产生额外的阻抗。
4GHz 的频率在真空中的1 个波长为75mm,在印刷电路板上的波长比真空中更短,会有所谓的电路板上缩短率,加上电气上的长度只有该波长的1/2,几乎是可以忽略的长度,结果造成图案之间的距离变得非常短,所以必需尽量选用小型组件,设计电路基板图案时必需动作频率列为最优先考虑。
照片2 是本电路使用的SAM 连接器外观,它是Johnson components公司开发的End launch connector。对micro strip line而言,SAM 的中心导体尺寸非常小,因此可以达成无阻抗暴增之虞的传输特性。图9 是SAM 连接器的电路基板图案,以及中心导体尺寸与基板厚度为1.2mm时的micro strip line宽度。
照片2 SAM 连接器的外观 图9 照片2 SAM 连接器的foot pattern
Audio 电路大多采用单点接地(图10),类似RF 电路的单点接地导线会成为电感器(inductance),使得各组件的接地端子之间电位变得非常不稳定,所以基板图案采用fullground设计,利用基板的背面与内层形成所谓的传输线路ground plain结构,此外与ground连接的via hole会成为无法忽视的阻抗,设计上必需特别注意。