反激DCM模式RCD参数计算
时间:04-17 15:07 阅读:3434次
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简介:如果不加RCD钳位,电路在DCM模式下,电路可能发生两次振荡,第一次主要是初级漏感Lkp和Coss的电容引起的,第二次主要是在电路能量耗尽后,励磁电感和Coss电容振荡引起的这里需要补充一下,在仿真的时候,已经观察到了这个明显的现象了。
这里首先提供几篇应用手记上的计算方法,然后对其进行改进对比,然后在仿真中对比实际结果。
首先我们将关心的因素缩小,把主要考虑的元素分为Mos管的等效输出电容Coss,变压器励磁电感Lm,变压器的初级漏感Lkp作为考虑对象。
如图所示,如果不加RCD钳位,电路在DCM模式下,电路可能发生两次振荡,第一次主要是初级漏感Lkp和Coss的电容引起的,第二次主要是在电路能量耗尽后,励磁电感和Coss电容振荡引起的这里需要补充一下,在仿真的时候,已经观察到了这个明显的现象了。
下面开始我们的计算:
计算过程,把Flyback的计算过程带入其中:
找了好些文档都是这么计算的,不过我发现几个问题
1.消耗的能量不仅仅是漏感的,也包括励磁电感的能量
2.在钳位过程中,电压是变化的,并不存在彻底钳位在V.c_mx的情况发生
因此我们需要修改模型