系统级ESD保护与器件级ESD保护的对比

IC 的 ESD 损坏可发生在任何时候，从装配到板级焊接，再到终端用户人机互动。ESD 相关损坏最早可追溯到半导体发展之初，但在 20 世纪 70 年代微芯片和薄栅氧化 FET 应用于高集成 IC 以后，它才成为一个普遍的问题。所有 IC 都有一些嵌入式器件级 ESD 结构，用于在制造阶段保护 IC 免受 ESD 事件的损坏。这些事件可由三个不同的器件级模型进行模拟：人体模型 (HBM)、机器模型 (MM) 和带电器件模型 (CDM)。HBM 用于模拟用户操作引起的 ESD 事件，MM 用于模拟自动操作引起的 ESD 事件，而 CDM 则模拟产品充电/放电所引起的 ESD 事件。这些模型都用于制造环境下的测试。在这种环境下，装配、最终测试和板级焊接工作均在受控 ESD 环境下完成，从而减小暴露器件所承受的 ESD 应力。在制造环境下，IC 一般仅能承受 2-kV HBM 的 ESD 电击，而最近出台的小型器件静电规定更是低至 500V。

尽管在厂房受控 ESD 环境下器件级模型通常已足够，但在系统级测试中它们却差得很远。在终端用户环境下，电压和电流的ESD电击强度要高得多。因此，工业环境使用另一种方法进行系统级 ESD 测试，其由 IEC 61000-4-2 标准定义。器件级 HBM、MM和CDM 测试的目的都是保证 IC 在制造过程中不受损坏；IEC 61000-4-2规定的系统级测试用于模拟现实世界中的终端用户ESD事件。

IEC 规定了两种系统级测试：接触放电和非接触放电。使用接触放电方法时，测试模拟器电极与受测器件 (DUT) 保持接触。非接触放电时，模拟器的带电电极靠近 DUT，同 DUT 之间产生的火花促使放电。

表 1 列出了 IEC 61000-4-2 标准规定的每种方法的测试级别范围。请注意，两种方法的每种测试级别的放电强度并不相同。我们通常在4级（每种方法的最高官方标称级别）以上对应力水平进行逐级测试，直到发生故障点为止。

器件级模型和系统级模型有一些明显的区别，表 2 列出了这些区别。表 2 中最后三个参数（电流、上升时间和电击次数）需特别注意：

电流差对于 ESD 敏感型器件是否能够承受一次 ESD 事件至关重要。由于强电流可引起结点损坏和栅氧化损坏，8-kV HBM 保护芯片（峰值电流5.33A）可能会因 2-kV IEC 模型电击（峰值电流 7.5A）而损坏。因此，系统设计人员不能把 HBM 额定值同 IEC 模型额定值混淆，这一点极为重要。 另一个差异存在于电压尖峰上升时间。HBM 的规定上升时间为 25ns。IEC 模型脉冲上升时间小于 1ns，其在最初 3ns 消耗掉大部分能量。如果 HBM 额定的器件需 25ns 来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。 两种模型在测试期间所用的电击次数不同。HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击，而 IEC 模型却要求 10 次正电击和 10 次负电击。可能出现的情况是，器件能够承受第一次电击，但由于初次电击带来的损坏仍然存在，其会在后续电击中失效。图 1 显示了 CDM、HBM 和 IEC 模型的 ESD 波形举例。很明显，相比所有器件级模型的脉冲，IEC 模型的脉冲携带了更多的能量。

表2器件级模型与IEC系统级模型比较

图1器件级和IEC模型的ESD波形

TVS如何保护系统免受ESD事件的损害

与 ESD 保护集成结构不同，IEC 61000-4-2 标准规定的模型通常会使用离散式独立瞬态电压抑制二极管，也即瞬态电压抑制器 (TVS)。相比电源管理或者微控制器单元中集成的 ESD 保护结构，独立 TVS 成本更低，并且可以靠近系统 I/O 连接器放置，如图 2 所示。

图2系统级TVS布局

共有两种 TVS：双向和单向（参见图 3）。TITPD1E10B06便是一个双向 TVS例子，它可以放置在一条通用数据线路上，用于系统级 ESD 保护。正常工作状态下，双向和单向 TVS 都为一个开路，并在 ESD 事件发生时接地。在双向 TVS 情况下，只要 D1 和 D2 都不进入其击穿区域，I/O 线路电压信号会在接地电压上下摆动。当 ESD 电击（正或者负）击中 I/O 线路时，一个二极管变为正向偏置，而另一个击穿，从而形成一条通路，ESD 能量立即沿这条通路接地。在单向 TVS 情况下，只要 D2 和 Z1 都不进入其击穿区域，则电压信号会在接地电压以上摆动。当正ESD电击击中I/O线路时，D1变为正向偏置，而Z1 先于 D2 进入其击穿区域；通过 D1 和 Z1 形成一条接地通路，从而让 ESD 能量得到耗散。当发生负 ESD 事件时，D2 变为正向偏置，ESD能量通过 D2接地通路得到耗散。由于 D1 和 D2 尺寸可以更小、寄生电容更少，单向二极管可用于许多高速应用；D1 和 D2 可以“隐藏”更大的齐纳二极管 Z1（大尺寸的原因是处理击穿区域更多的电流）。

图3双向和单向TVS

系统级ESD保护的关键器件参数

图 4 显示了 TVS 二极管电流与电压特性的对比情况。尽管 TVS 是一种简单的结构，但是在系统级 ESD 保护设计过程中仍然需要注意几个重要的参数。这些参数包括击穿电压 VBR、动态电阻 RDYN、钳位电压 VCL和电容。

图4 TVS二极管电流与电压的关系

击穿电压

正确选择 TVS 的第一步是研究击穿电压 (VBR)。例如，如果受保护 I/O 线路的最大工作电压 VRWM为 5V，则在达到该最大电压以前 TVS 不应进入其击穿区域。通常，TVS 产品说明书会包括具体漏电流的 VRWM，它让我们能够更加容易地选择正确的 TVS。否则，我们可以选择一个 VBR（min）大于受保护 I/O 线路 VRWM几伏的 TVS。

动态电阻

ESD 是一种极速事件，也就是几纳秒的事情。在如此短的时间内，TVS 传导接地通路不会立即建立起来，并且在通路中存在一定的电阻。这种电阻被称作动态电阻 (RDYN)，如图 5 所示。

图5 ESD电流放电通路

理想情况下，RDYN应为零，这样 I/O 线路电压才能尽可能地接近 VBR；但是，这是不可能的事情。RDYN的最新工业标准值为 1 Ω 或者 1 Ω 以下。利用传输线路脉冲测量技术可以得到 RDYN。使用这种技术时，通过 TVS 释放电压，然后测量相应的电流。在得到不同电压的许多数据点以后，便可以绘制出如图6一样的 IV 曲线，而斜线便为 RDYN。图 6 显示了 TPD1E10B06 的 RDYN，其典型值为 ~0.3 Ω。

图6 TPD1E10B06的IV特性

钳位电压

由于ESD是一种极速瞬态事件，I/O 线路的电压不能立即得到箝制。如图 7 所示，根据 IEC 61000-4-2 标准，数千伏电压被箝制为数十伏。如方程式 1 所示，RDYN越小，钳位性能也就越好：

其中，IPP为 ESD 事件期间的峰值脉冲电流，而 Iparasitic为通过 TVS 接地来自连接器的线路寄生电感。

图7 8Kv接触放电的ESD事件钳位

把钳位电压波形下面的区域想像成能量。钳位性能越好，受保护ESD敏感型器件在ESD事件中受到损坏的机率也就越小。由于钳位电压很小，一些TVS可承受IEC模型的8kV接触式放电，但是“受保护”器件却被损坏了。

电容

在正常工作状态下，TVS为一个开路，并具有寄生电容分流接地。设计人员应在信号链带宽预算中考虑到这种电容。

结论

由于 IC 工艺技术节点变得越来越小，它也越来越容易受到 ESD 损坏的影响，不管是在制造过程还是在终端用户使用环境下。器件级 ESD 保护并不足以在系统层面为 IC 提供保护。我们应在系统级设计中使用独立 TVS。在选择某个 TVS 时，设计人员应注意一些重要参数，例如：VBR、RDYN、VCL和电容等。