stm32439—eval-mb1045B-power

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5V转3.3V电路

（图中C53为普通电容，C52为极化电容：有极性电容为电解电容，无极性电容为普通电容，电解电容的容量一般比普通电容的大，在滤波时电解电容用于滤低频，普通电容用于滤高频。）

滤波电容选取原则

在电源设计中,滤波电容的选取原则是：

C≥2.5T/R

其中：C为滤波电容，单位为F；

T为周期，单位为S，T=1/f

f为交流电源频率，单位为Hz

R为负载电阻，单位为Ω

当然，这只是一般的选用原则，在实际的应用中，如条件(空间和成本)允许，都选取C≥5T/R。

由于四端电容具有良好的高频特性，为减小电压的脉动分量以及抑制开关尖峰噪声提供了极为有利的手段。高频铝电解电容器还有多芯的形式，即将铝箔分成较短的若干段，用多引出片并联连接以减小容抗中的阻抗成份。并且采用低电阻率的材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。

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5V转2.8V

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3.3V转1.8V

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圆口5V电源输入

（D7：过压过流保护 polyzen

Polyswitch：过流保护，自恢复保险丝

Z1:肖特基二极管

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁；肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

L3:滤波，消除噪声

BNX002

）

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miniUSB：

摘自openedv：用三极管上啦是可控的，原子哥那种没有用三极管上啦是不可控的，也就是如果芯片没程序，一插进去，就电脑直接检测USB了，这样对于电脑有一点不好，如果遇上电脑配置不高，而且，你板子USB部分设计电路有问题，就有可能导致电脑死机，严重的，电脑USB直接挂了，我是亲身体验过的，好在挂的是台机的PCI插槽的USB扩展卡，损失不算大，本人推荐，还是用三极管上啦D+,IO控制方式安全一点。