一、直流参数

(1)开启电压UGS(th) (或UT)

开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于

开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD >0。

(2)夹断电压UGS(off) (或UP)

夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电流）。

(3)饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对应的漏极电流。

(4)直流输入电阻RGS（DC）

场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。

二、交流参数

(1)低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，即 uGS对iD的控制作用。

gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。

(2)极间电容：三个极间均存在电容。

(3)输出电阻rd：

主要参数

三、极限参数

(1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。

(2)击穿电压

最大漏源电压U(BR)DS

最大栅源电压U(BR)GS

(3)最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。