对可控开关器件傻傻分不清 这篇文章让你不再困惑
时间:10-14 11:08 阅读:1531次
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简介:下面我们从器件对触发信号波形的要求、开关频率、单双极、主要优、缺点方面考虑,七种可控开关器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。
你是否看见这些可控开关器件傻傻的分不清呢?你是不是真的爱这些器件呢?可我们不懂它,又怎么称的上爱它呢?那就让我们走进它们,了解它们。下面我们从器件对触发信号波形的要求、开关频率、单双极、主要优、缺点方面考虑,七种可控开关器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。
BJT:电流型全控器件;正持续基极电流控制开通,基极电流为0则关断;开关频率适中;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。
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SCR:电流型半控器件;正脉冲门极电流控制开通,触发信号不能控制开断;开关频率低;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。
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GTO:电流型全控器件;正脉冲门极电流控制开通,负脉冲门极电流(较大)控制关断;开关频率低;双极;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率低。
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P-MOSFET:电压型全控器件;正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断;开关频率高;单极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大),电流、电压额定低。
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IGBT:电压型全控器件;正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断;开关频率较高;双极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。
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MCT:电压型全控器件;正脉冲电压控制开通,负脉冲电压控制关断;开关频率较高(低于IGBT);双极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。
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SIT:电压型全控器件;持续电压控制断、通;开关频率高;单极;主要优点:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。
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