功率MOSFET的栅极驱动电压要比VTH大许多才能保证器件完全开通，对于一个系统，最大的电流是相对固定的，因此对应的米勒平台电压也是固定的，如果感应的VGS超过米勒平台电压持续一定时间，形成真正的直通，而不是弱直通，就会导致器件中产生大电流的冲击，严重的情况下系统还会炸机。

器件工作在过载或在高温下工作，由于VTH是负温度系数，VTH降低，直通的可能性大大增加。

功率MOSFET驱动电路很少用负压吸收VTH的感应电压尖峰，在高压的应用中，dv/dt非常大，耦合到栅极产生的感应电压比较大，因此容易导到MOSFET产生误触发导通。除了在电路上进行优化，可以设定VTH的下限来防止MOSFET产生误触发导通。