SST39VF160芯片介绍

SST39VF160是一个1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成(SuperFlash技术的分裂闸split-gate单元结构和厚氧化物制成的)。

SST39VF160具有高性能的字编程功能，字编程时间为14µs。器件通过触发位或数据查询位来指示编程操作的完成。为了防止意外写的发生，器件还提供了硬件和软件数据保护机制。SST39VF160的10 000个周期的耐用性和大于100年的数据保持时间使其可广泛用于设计制造和测试等应用中。

SST39VF160具有高性能的字编程功能，字编程时间为14µs。器件通过触发位或数据查询位来指示编程操作的完成。为了防止意外写的发生，器件还提供了硬件和软件数据保护机制。SST39VF160的10 000个周期的耐用性和大于100年的数据保持时间使其可广泛用于设计制造和测试等应用中。SST39VF160尤其适用于要求程序配置或数据存储器，可方便和低成本地更新的应用。

SST39VF160的工作电压为2.7～3.6V，单片存储容量为2M字节，采用48脚TSOP封装，如图所示。16位数据宽度。

图SST39VF160引脚图

SST39VF160的引脚功能描述如表所示。

引脚功能描述表

符号 管脚名称 功能 A19～A0 地址输入 存储器地址。扇区擦除时，A19～A11用了选择扇区。块擦除时，A19～115用了选择块。 DQ15～DQ0 数据输入/输出 读周期内输入数据，写周期内输入数据。

写数据内数据内部锁存。

OE#或CE#为高时输出为三态。 CE# 芯片使能 CE#为低时启动器件开始工作 OE# 输出使能 数据输出缓冲器的门控信号 WE# 写使能 控制写操作 VDD 电源 提供电源电压：SST39LF160为3.0～3.6V

SST39VF160为2.7～3.6V

SST39LF160的存储器操作由命令来启动，命令通过标准微处理器写时序写入器件，将WE#拉低、CE#保持低电平来写入命令地址。总线上的地址在WE#或CE#的下降沿(后产生下降沿的那个)被锁存。数据总线上的数据在WE#或CE#的上升沿(无论哪一个先产生上升沿)被锁存。SST39LF160还包含一种自动低功耗模式，它可在有效读操作将数据读出后使器件进入一个接近等待模式的状态，这样IDD有效读电流从15mA降低到4µA。自动低功耗模式可将典型的IDD有效读电流降低到读周期内的1mA/MHz。只要启动另一次读周期的地址或控制信号发生变化，器件就退出自动低功耗模式，不占用访问时间。注意当CE#保持低电平而使器件上电后器件就不能进入自动低功耗模式，直到出现第一个地址跳变或CE#变为高电平。

SST39VF160的读操作由CE#和OE#控制，只有两者都为低电平时系统才能从器件的输出管脚获得数据，CE#是器件片选信号，当CE#为高电平时器件未被选中工作，只消耗等待电流。OE#是输出控制信号，用来控制输出管脚数据的输出。当CE#或OE#为高电平时数据总线呈现高阻态。SST39VF160的读周期时序图如图9-2所示。

图9-2 SST39VF160 读时序

SST39VF160字编程操作

SST39VF160以字形式进行编程，编程前包含字的扇区必须完全擦除。编程操作分为3步。第一步，执行3字节装载时序，用于解除软件数据保护。第二步，装载字地址和字数据。在字编程操作中，地址在CE#或WE#的下升沿(后产生下降沿的那个)锁存，数据在CE#或WE#的上升沿(先产生上升沿的那个)锁存。第三步，执行内部编程操作该操作。在第4个WE#或CE#的上升沿出现(先产生上升沿的那个)之后启动编程操作。一旦启动将在20µs内完成。4个总线周期写周期的软件命令时序如表9-2所示 写周期的软件命令时序

命令时序 第1个总线写周期 第2个总线写周期 第3个总线写周期 第4个总线写周期 地址 数据 地址 数据 地址 数据 地址 数据 字编程 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0 WA（编程字地址） 数据

SST39VF160扇区/块擦除操作

扇区操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序(扇区擦除命令30H和扇区地址SA)来启动。块擦除操作通过在最新一个总线周期内执行一个6字节的命令时序(块擦除命令50H和块地址BA)来启动。扇区或块地址在第6个WE#脉冲的下降沿锁存。命令(30H或50H)在第6个WE#脉冲的上升沿锁存。内部擦除操作在第6个WE#脉冲后开始执行擦除操作，是否结束由数据查询位或触发位决定。数据查询位和触发位的定义如下：

● 数据查询位(DQ7)：当SST39LF/VF160正在执行内部编程操作时任何读DQ7的动作将得到真实数据的补码。一旦编程操作结束DQ7为真实的数据。注意即使在内部写操作结束后紧接着出现在DQ7上的数据可能有效，其余的数据输出管脚上的数据也无效只有在1us的时间间隔后执行了连续读周期所得的整个数据总线上的数据才有效。在内部擦除操作过程中读出的DQ7值为‘0’，一旦内部擦除操作完成DQ7的值为1 。编程操作的第4个WE#或CE#脉冲的上升沿出现后数据查询位有效，对于扇区/块擦除或芯片擦除数据#查询位在第6个WE#或CE#脉冲的上升沿出现后有效。

●触发位(DQ6)：在内部编程或擦除操作过程中读取DQ6将得到1或0，即所得的DQ6在1和0之间变化。当内部编程或擦除操作结束后DQ6位的值不再变化。触发位在编程操作的第4个WE#或CE#脉冲的上升沿后有效。对于扇区/块擦除或芯片擦除触发位在第6个WE#或CE#脉冲的上升沿出现后有效。

擦除周期的软件命令时序如表9-3所示

表9-3 擦除周期的软件命令时序

命令

时序 第1个

总线写周期 第2个

总线写周期 第3个

总线写周期 第4个

总线写周期 第5个

总线写周期 第6个

总线写周期 地址 数据 地址 数据 地址 数据 地址 数据 地址 数据 地址 数据 扇区

擦除 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAA 55H SAx 30H 块

擦除 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAA 55H SBx 50H

注：SAx要表示擦除的扇区地址 SBx要表示擦除的块地址