片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点，电路采用SMIC0.35-μm CMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大，驱动级采用共源共栅A类结构组成，输出级采用共源级大MOSFET管组成。电路采用SMIC 0.35-μm RF CMOS模型用Candence公司的spectreRF工具进行模拟。根据模拟结果，设计的CMOS射频功率放大器工作稳定，在3.3 V工作电压下，1 dB压缩点输出功率约为25 dBm, 输入功率0 dBm时，输出功率为25.22 dBm。
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