在传统带隙基准电压源电路结构的基础上，通过在运放中引入增益提高级，实现了一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比（PSRR）和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18-μm CMOS工艺实现。利用Cadence/Spectre仿真器进行仿真，结果表明，在1.8 V电源电压下，-40～125 ℃范围内，温度系数为9.699 ppm/℃；在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比为90.2 dB，20 kHz时为74.97 dB。
7-19 建立CMOS器件的IBIS模型
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