一种改进的超低压电压基准源设计.pdf
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简介：
本文利用NMOS 管与PMOS 管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应，设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV 的电压基准源。该电路结构简单，电源抑制特性较好，并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5- μm CMOS 工艺对电路进行仿真，仿真结果表明：电源电压为1V 时，在-40oC 至125oC 温度范围内，基准源的温度系数约为11ppm/ oC；在100Hz 和10MHz 时电源抑制比分别为-58.6 dB 和-40dB。
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