目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片在9V的工作电压下可向50Ω 负载提供8.04Vpp的最大输出摆幅。这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的最大导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%.通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作，而这一新型器件通过CMOS技术实现时无需额外的费用。 

技术背景
现代无线手持通信无线电（包括射频（RF）功率放大器（PA） 在内）均是在深亚微米CMOS中得以实现。不过，在无线基础设施系统中，由于需要较大的输出功率等级，必须通过硅LDMOS或混合技术（如GaA和更先进 的GaN）才能实现RF PA.对下一代可重新配置的基础设施系统而言，开关模式PA（SMPA）似乎能为多频带多模式发射器提供所需的灵活性和高性能。但是，为了将基站SMPA 中使用的高功率晶体管与发射器的所有数字CMOS模块相连，需要能够生成高压（HV）摆幅的宽带RF CMOS驱动器。这样不仅能实现更优的高功率晶体管性能，而且还能将数字信号处理直接用于控制所需的SMPA输入脉冲波形，从而提高系统整体性能。