基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。
7-19 建立CMOS器件的IBIS模型
3-4 设计双层PCB之一：规划电路板
3-6 设计双层PCB之三：布线操作
3-5 设计双层PCB之二：元件布局
3-7 设计双层PCB之四：一些后续操作
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