第七讲 PN结的形成
第七讲 PN结的形成
关于上一讲，谈到的自由电子和空穴，我们可以都冠以“载流子”（承载能形成电流的粒子）这个名词。
N型半导体中，除了含有因掺入5价元素（如P）杂质而产生的自由电子外，也有空穴，空穴是因为热激发而产生的“自由电子空穴对”中的空穴。我们把N型半导体中的自由电子称为多数载流子，把N型半导体中的空穴称为少数载流子。
同样的
P型半导体中，除了含有因掺入3价元素（如B）杂质而产生的空穴外，也有自由电子，自由电子是因为热激发而产生的“自由电子空穴对”中的自由电子。我们把P型半导体中的自由电子称为少数载流子，把P型半导体中的空穴称为多数载流子。
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这一节讲下PN结的形成
半导体中，PN结是形成二极管和三极管的最主要的成分，没有PN结，就没有半导体在当前现代社会中的广泛应用，包括CPU。
当把N型半导体和P型半导体有机的结合到一起，就形成了PN结。
注意，是有机的结合，而不是简单的拼凑。所谓有机的结合，是在制造过程中的整体形成，不是简单的挤压。
例如，一块N型半导体，本来是平均掺杂有P原子的，自由电子较空穴相比具多数，但是总数少，我们叫做“轻”掺杂，当我们在这块N型半导体的上表面的某一定的厚度范围内，如2um，继续掺杂B原子，则掺杂到一定程度时这2um范围内的P和B原子的数目相等，这时自由电子和空穴数量相等并且互相复合，反而类似于本征半导体了（只剩下了因热激发而产生的少量电子空穴对），在此基础上，继续掺杂B原子，则空穴就多于自由电子了，被改作了P型半导体了（重掺杂）。在这个2um的交界处，一边是N型半导体，自由电子多空穴少；另一边是P型半导体，空穴多自由电子少，那这个2um的交界面就叫做PN结。注意了，PN结仅仅是一个P型半导体和N型半导体的交界面而已！这是所谓的用平面工艺所产生的PN结。还有其他方法也能产生PN结，如合金法，此处不做描述。
正是这个PN结，给我们后来的电子技术的发展，带来的前所未有的、空前的机遇。
冯大同
发表于03-07 14:23 浏览65535次
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